КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ ПРОФИЛИ КОМПОНЕНТОВ В ЗОНЕ РЕАКЦИИ ГЕТЕРОВАЛЕНТНОГО ЗАМЕЩЕНИЯ АНИОНОВ В ТВЕРДОФАЗНОЙ СИСТЕМЕ Ga2Se3– GaAs

Методом рентгеноспектрального микроанализа исследованы концентрационные профили основных компонентов реакции в области гетероперехода системы Ga2Se3–GaAs, полученной в процессе термостимулированного гетеровалентного замещения анионов. Показано, что режимы квазиравновесной и диффузионной квазистационарной доставки халькогена в зону реакции различны по кинетике роста слоёв А2IIIС3VI. Независимо от этого концентрационные профили элементов реакции самоорганизуются с течением времени отжига, что позволяет воспроизводимо реализовывать гетероструктуры с резкой границей раздела

• Безрядин Н.Н.
• Буданов А.В.
• Стрыгин В.Д.
• Руднев Е.В.
• Агапов Б.Л.
• Янин А.А.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Естественные науки
• Физико-математические науки