МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ЗАРЯДОВОЙ ДЕГРАДАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ МОП СТРУКТУР

Предложена модель накопления заряда в слое стеклообразной двуокиси кремния и на поверхностных состояниях границы раздела Si—SiO2 кремниевой МОП структуры под воздействием рентгеновского излучения, основанная на едином механизме генерации радиационных дефектов E’ (–Si–O3) и Pb (−Si≡Si3) в переходном нестехиометрическом слое с высоким уровнем внутренних упругих напряжений. На основе предложенной модели рассчитаны дозовые зависимости накопления фиксированного заряда в окисле и плотности поверхностных состояний для высоких и низких мощностей доз. Предложена методика прогноза радиационной деградации статических характеристик кремниевых МОП структур в радиационных полях низкой интенсивности (космическое излучение)

• Бондаренко Е.В.
• Макаренко В.А.
• Бормонтов А.Е.
• Левин М.Н.
• Татаринцев А.В.
• Гитлин В.Р.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Естественные науки
• Физико-математические науки