РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика/2008/№ 1/

ВЛИЯНИЕ БУФЕРНОГО ПОРИСТОГО СЛОЯ GAAS И ЛЕГИРОВАНИЯ ДИСПРОЗИЕМ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ GAINP:DY/POR-GAAS/GAAS(100)

В образцах с пористым буферным слоем остаточные внутренние напряжения, вызванные рассогласованием параметров кристаллических решеток поверхностного тройного твердого раствора GaInP и подложки GaAs, перераспределяются в пористый слой, который в данном случае играет роль «губки» и способствует полному исчезновению внутренних напряжений

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: