Аналитическими методами и методами компьютерного моделирования в пакете программ Sentaurus TCAD компании Synopsys исследовано влияние мольной концентрации алюминия в активной и волноводной областях на энергетический спектр носителей заряда и спектральные характеристики излучения полупроводниковых AlGaAs лазеров с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением (ДГС РО). Рассчитаны длины волн одномодовых ДГС РО лазеров на основе AlGaAs.