ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x

Приведены результаты измерений вольт-фарадных характеристик для структур SiC/(SiC)1-x(AlN)x. Определялись концентрации легирующей примеси в активном слое гомо- и гетероструктур; высота потенциального барьера на p-n-переходе; толщины p-n-перехода; величины напряженности электрического поля в p-n-переходе; параметры глубоких примесных уровней по изменению во времени емкости p-n-перехода. По полученным данным определялось влияние содержания AlN в твердых растворах на параметры структур SiC/(SiC)1-x(AlN)x

• Каргин Н.И.
• Рындя С.М.
• Сафаралиев Г.К.
• Билалов Б.А.
• Курбанов М.К.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Технические науки. Промышленность