Приведены результаты экспериментальных исследований ряда отечественных и зарубежных авторов в области применения пористых подложек для эпитаксиального наращивания гетероструктур приборного качества. Дана справка по методам и условиям получения пористых слоев соединений AIIIBV, SiC и Si