МОДИФИЦИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ABНАНОРАЗМЕРНЫМ СЛОЕМ ГЕЛЯ V2O5 И ТЕРМООКСИДИРОВАНИЕ СФОРМИРОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР VXOY/AB

Модифицирование поверхности полупроводника оксидами переходных металлов изменяет кинетику и механизм процесса, а, следовательно, состав и свойства формируемых плёнок. Нанесение геля V2O5 на поверхность GaAs является мягким методом модифицирования, при котором отсутствует взаимодействие между слоем хемостимулятора и компонентами подложки до начала термооксидирования. Цель работы заключалась в установлении закономерностей термооксидирования гетероструктур VxOy/AIIIBV, синтезированных нанесением геля V2O5 из аэрозоля на поверхность полупроводника. Рассчитанные с применением данных лазерной эллипсометрии значения эффективных энергий активации оксидирования гетероструктур VxOy/AIIIBV (210 кДж/моль для InP и 77 кДж/моль для GaAs) свидетельствуют о реализации транзитного механизма процесса. Отсутствие в пленках после оксидирования V2O5 подтверждает транзитный характер действия хемостимулятора, поскольку необходимый для протекания катализа цикл регенерации V+5 ↔ V+4 не осуществляется. Согласно данным атомно-силовой микроскопии максимальная высота рельефа образцов после оксидирования увеличивается, а средняя шероховатость поверхности уменьшается

• Томина Е.В.
• Миттова И.Я.
• Зеленина Л.С.
• Пелипенко Д.И.
• Сладкопевцев Б.В.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Естественные науки
• Науки о человеке