Анализ средствами TCAD токов утечки 45-нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектрикомПетросянц К.О.,Попов Д.А.,Самбурский Л.М.,Харитонов И.А.
|
|
Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистораПетросянц К.О.,Кожухов М.В.
|